本申請涉及半導體光電探測器領(lǐng)域,尤其涉及一種
鈣鈦礦X射線探測器的封裝面板及其制備方法;鈣鈦礦材料層,鋁膜層,以及薄膜層,鋁膜層設(shè)置于鈣鈦礦材料層與薄膜層之間,且與鈣鈦礦材料層和薄膜層相鄰設(shè)置;其中,薄膜層為含硅元素的一個或多個無機薄膜層;所述方法包括:對基板的表面進行TFT驅(qū)動器件成型,再在成型的TFT驅(qū)動器件表面進行鈣鈦礦材料層成型,得到功能單元;在功能單元中鈣鈦礦材料層的表面貼封鋁膜層,后在鋁膜層表面上沉積第一無機薄膜層和第二無機薄膜層,得到含防水氧結(jié)構(gòu)的封裝面板;通過鋁膜層和薄膜層,避免水氧環(huán)境對鈣鈦礦層材料的侵蝕,起到有效封裝。
聲明:
“鈣鈦礦X射線探測器的封裝面板及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)