本申請屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種p?i?n結(jié)構(gòu)
鈣鈦礦基X光探測器及其制備方法。其中,p?i?n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測器,包括依次疊層貼合設(shè)置的p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層,其中,所述鈣鈦礦活性層包含化學通式為APbZ3的鹵化物鈣鈦礦,其中,A包括堿金屬離子或者有機銨離子,Z包括至少一種鹵素。本申請?zhí)峁┑膒?i?n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測器,通過p型功能層、鈣鈦礦活性層和n型功能層的協(xié)同作用,可有效抑制器件暗電流,暗電流密度≤1nA/cm2,并且使鈣鈦礦基X光探測器具有較高的檢測靈敏度。
聲明:
“p-i-n結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)