本發(fā)明屬于光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于
稀土離子摻雜
鈣鈦礦納米晶體的深紫外光電探測(cè)器及其制備方法。本發(fā)明的深紫外光電探測(cè)器從下至上依次包括襯底層、金屬層、鈣鈦礦納米顆粒層與電極層,鈣鈦礦納米顆粒層以ABX
3鈣鈦礦納米晶體為基質(zhì)材料,其中摻雜稀土離子組成。本發(fā)明通過(guò)稀土離子大大提高CsPbX
3在深紫外線區(qū)域的光吸收強(qiáng)度,而且還可以增加鈣鈦礦的電學(xué)性能,例如降低表面缺陷和改善載流子遷移率。并且在鈣鈦礦層下方旋涂了Al薄膜之后,大幅度提高了CsPbX
3在深紫外線區(qū)域的光吸收強(qiáng)度。通過(guò)結(jié)合這些材料和結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì),獲得了具有極低暗電流,高靈敏度和快速響應(yīng)時(shí)間的深紫外光電探測(cè)器。
聲明:
“基于稀土離子摻雜鈣鈦礦納米晶體的深紫外光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)