本發(fā)明涉及一種光探測(cè)結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于
鈣鈦礦納米線的光探測(cè)結(jié)構(gòu),包括電極、具有縫隙的鈣鈦礦納米線、二氧化硅層、硅襯底層。二氧化硅層置于硅襯底層上,具有縫隙的鈣鈦礦納米線置于二氧化硅層上,電極加載在具有縫隙的鈣鈦礦納米線兩端。具有縫隙的鈣鈦礦納米線會(huì)加強(qiáng)對(duì)光的吸收,并且減小了電流橫截面的面積,從而提高探測(cè)的靈敏度。
聲明:
“基于鈣鈦礦納米線的光探測(cè)結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)