本發(fā)明屬于光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域,公開了
鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測(cè)器的反溶劑制備方法。該反溶劑制備方法,包括以下步驟:(1)將基底置于等離子清洗設(shè)備中進(jìn)行改性處理,制得改性的基底;(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱,然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅(qū)體溶液,再滴加反溶劑,反應(yīng),退火,制得鈣鈦礦薄膜;反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種;退火的溫度為78?122℃。光電探測(cè)器具有良好的光電性能,同時(shí)具有高的響應(yīng)度、外量子效率和比探測(cè)率,光電探測(cè)器的響應(yīng)度為200?700μA/W,外量子效率大于0.01,比探測(cè)率為108?109Jones。
聲明:
“鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測(cè)器的反溶劑制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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