本發(fā)明屬于光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了二維
鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測(cè)器的反溶劑制備方法。該二維鈣鈦礦薄膜的反溶劑制備方法,包括以下步驟:(1)將基底置于等離子清洗設(shè)備中進(jìn)行改性處理,制得改性的基底;(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱,然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅(qū)體溶液,再滴加反溶劑,反應(yīng),退火,制得所述二維鈣鈦礦薄膜;所述反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種。在二維鈣鈦礦薄膜上制備電極,制得光電探測(cè)器。該光電探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間低于85ms,經(jīng)過(guò)近90次循環(huán)光電流衰減不到7.7%,最佳響應(yīng)度為200?670μA/W,最大光電流為3.5?13.2nA。
聲明:
“二維鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測(cè)器的反溶劑制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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