本發(fā)明屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種高效率高功率密度GaN全橋逆變器模塊,包括控制器、第一GaN半橋電路(1)、第一電感(L1)、第一電容(C1)、第二GaN半橋電路(2)、第二電感(L2)、第二電容(C2)、輸出電容C3、檢測電路和反饋電路。本發(fā)明通過采用LGA封裝的GaN?HEMT器件實現(xiàn)全橋逆變器的高頻化,進一步為提高功率等級采用多管并聯(lián)結(jié)構(gòu),為提高可靠性采用雙面布局結(jié)構(gòu)對柵驅(qū)動電路、HEMT器件、電源母線和散熱布局進行優(yōu)化設(shè)計,從而實現(xiàn)逆變器模塊的高頻化和小型化,進一步實現(xiàn)高密度功率集成和高效率,可以廣泛應(yīng)用于各類新能源并網(wǎng)逆變系統(tǒng)中。
聲明:
“高效率高功率密度GaN全橋逆變器模塊” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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