本發(fā)明提供了一種基于ReSe2/CsPbI3
鈣鈦礦量子點(diǎn)雜化的寬譜光電探測(cè)器,包括SiO2/Si基底以及設(shè)置于SiO2/Si基底上的對(duì)電極,所述對(duì)電極之間設(shè)置成溝道;所述溝道上設(shè)置有ReSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)層,且所述ReSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)層延伸至與對(duì)電極連接,所述ReSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)層包括二維ReSe2納米片以及設(shè)置于所述二維ReSe2納米片上的CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)。本發(fā)明基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)雜化的寬譜光電探測(cè)器在可見光波段借助于CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)的光生電子效應(yīng)表現(xiàn)出各向同性的特征,而在近紅外波段CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)可視作透明材料,借助于二硒化錸納米片的光生電子效應(yīng)和各向異性效應(yīng),從而表現(xiàn)出各向異性特性。本發(fā)明還提供了基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)雜化的寬譜光電探測(cè)器的制備方法。
聲明:
“基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)雜化的寬譜光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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