本發(fā)明公開了一種氯化亞
錫摻雜的無機
鈣鈦礦薄膜、其制備方法及應(yīng)用,屬于
新能源材料技術(shù)領(lǐng)域。針對現(xiàn)有技術(shù)存在的無法獲得高濕環(huán)境下相結(jié)構(gòu)穩(wěn)定CsPbI
2Br無機鈣鈦礦薄膜的問題,本發(fā)明提出了一種亞錫離子(Sn
2+)和氯離子(Cl
?)共同摻雜CsPbI
2Br無機鈣鈦礦薄膜的方法,通過在鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中加入一定量的SnCl
2無機鹽,再利用反溶劑旋涂法便可制得晶粒尺寸減小、薄膜應(yīng)力增強、立方相結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固的CsPbI
2Br無機鈣鈦礦薄膜。該方法能夠在保持CsPbI
2Br材料光電性能的基礎(chǔ)上,實現(xiàn)其在濕氣環(huán)境下相結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的顯著改善。該方法操作簡單、效果明顯,將其應(yīng)用于無機鈣鈦礦
太陽能電池可以有效提高器件的耐久性。
聲明:
“氯化亞錫摻雜的無機鈣鈦礦薄膜、其制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)