本發(fā)明提供一種基于套刻技術的鈮酸鋰薄膜波導微環(huán)的制備方法。其基本方案為:采用紫外光刻、金屬鍍膜工藝,在鈮酸鋰薄膜基片上制備環(huán)波導掩膜;采用紫外光刻套刻、金屬鍍膜和lift?off工藝,在鈮酸鋰薄膜基片上制備直波導掩膜;采用刻蝕法刻蝕鈮酸鋰薄膜基片,將金屬掩膜圖形轉移到鈮酸鋰薄膜層;清洗去除掩膜,得到鈮酸鋰薄膜波導微環(huán)器件樣品。采用本發(fā)明的方法,將工藝精度從普通的光刻精度優(yōu)化至套刻精度,即使使用光刻線寬精度為1um以上的普通紫外光刻機,也可以實現(xiàn)間隙要求小于0.8um線寬的微環(huán)器件的制備,極大地降低了成本,提高了制備的效率。
聲明:
“基于套刻的鈮酸鋰薄膜波導微環(huán)制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)