摻鉺氟化釓鋰晶體及其生長方法,屬于光電子材料技術(shù)領(lǐng)域?，F(xiàn)有摻鉺氟化釔鋰晶體因離子半徑匹配方面的原因,摻雜濃度低;在生長這種晶體的過程中,由于氟化釔鋰熔點(diǎn)高,原料揮發(fā)嚴(yán)重,難以生長出大尺寸的晶體。本發(fā)明之摻鉺氟化釓鋰晶體屬于四方晶系,以稀土鉺為激活離子,所述摻鉺氟化釓鋰晶體分子式為Er:LiGdF4,晶體基質(zhì)為氟化釓鋰;其生長方法特征在于LiF按LiF∶GdF3=16.5～17∶7.76～8過量加入,晶體生長工藝參數(shù)確定為提拉速度:0.3～0.8mm/h,旋轉(zhuǎn)速度:3～10rpm,生長溫度:745～755℃。摻鉺氟化釓鋰晶體是一種激光晶體,適用于大功率固體激光器。