本發(fā)明公開(kāi)一種自驅(qū)動(dòng)
鈣鈦礦橫向單晶異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及制備方法,包括以下步驟:1)采用逆溫結(jié)晶法獲得α?FAPbI3單晶種子,并利用逆溫結(jié)晶法結(jié)合種子限域法將所得α?FAPbI3單晶種子生長(zhǎng)成α?FAPbI3單晶薄片;2)利用逆溫結(jié)晶法結(jié)合種子限域法通過(guò)液相外延工藝在所述的α?FAPbI3單晶薄片上外延生長(zhǎng)MAPbI3單晶薄片,形成環(huán)形的橫向單晶異質(zhì)結(jié),橫向單晶異質(zhì)結(jié)上表面的兩側(cè)使用金屬Ag作為頂部電極。本發(fā)明解決了垂直器件導(dǎo)致的入射光損失、界面上的大量缺陷問(wèn)題,還能解決在液相外延生長(zhǎng)時(shí)選取溶液的不同極性可能對(duì)上一階段生長(zhǎng)的鈣鈦礦造成大范圍侵蝕和溶解的問(wèn)題,且制備的光電探測(cè)器性能優(yōu)越。
聲明:
“自驅(qū)動(dòng)鈣鈦礦橫向單晶異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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