本發(fā)明公開一種高性能的二維
鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,所述光電探測器制備過程如下:(1)將BAI、FAI、PbI2按照摩爾比2:1:2溶解于DMF、DMSO或二者的混合溶劑中,室溫攪拌7~10 h,得到前驅(qū)體溶液;BA2FAPb2I7在溶劑中的濃度為0.1 mol/L~0.8mol/L;(2)將清洗后的玻璃片在150~250℃的加熱板上預(yù)熱5~20分鐘,取出前驅(qū)體溶液滴加在玻璃片上旋涂,旋涂后的薄膜置于120~180℃退火10~20分鐘,得到BA2FAPb2I7薄膜,整個過程均在手套箱內(nèi)完成;(3)將BA2FAPb2I7鈣鈦礦薄膜,放在高真空電阻蒸發(fā)鍍膜機(jī)上蒸鍍叉指電極,即得。
聲明:
“高性能的二維鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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