本發(fā)明公開了一種硅基鈮酸鋰高速光調(diào)制器及其制備方法，調(diào)制器包括：硅基底晶片、二氧化硅下包層、鈮酸鋰薄膜、光學(xué)波導(dǎo)、金屬電極、硅V形槽、耦合光纖，二氧化硅下包層位于硅基底晶片的上表面；鈮酸鋰薄膜位于二氧化硅下包層之上。本發(fā)明的有益效果為：(1)實(shí)現(xiàn)了鈮酸鋰單晶晶體與硅單晶晶體的異質(zhì)集成；(2)鈮酸鋰晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包層的低介電常數(shù)、低介電損耗等特性，可實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰光調(diào)制器的調(diào)制速率(或調(diào)制帶寬)的提升；(3)鈮酸鋰晶片的薄膜化，以及二氧化硅下包層的高絕緣性，可實(shí)現(xiàn)分布于鈮酸鋰薄膜中的微波電磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加，提高電場(chǎng)對(duì)光場(chǎng)的調(diào)制效率，降低器件的驅(qū)動(dòng)電壓。