本發(fā)明涉及一種含硅
負極材料的折返式補鋰方法及負極片、電池,該方法包括如下步驟:將含硅負極材料形成于集流體上制得基片;將基片進行預加熱,并將基片在真空條件的氛圍下采用真空濺射的方式進行補鋰;其中預加熱的溫度高于氛圍的溫度且低于補鋰的靶材的熔點,氛圍的溫度為30℃~130℃;在真空濺射的步驟中,基片上第一側表面的第一、第二區(qū)域相對設置,基片上第二側表面的第三、第四區(qū)域相對設置;補鋰的靶材的數(shù)量為多個且為雙向濺射靶材,其中有部分靶材同時對基片的第一區(qū)域和第二區(qū)域進行補鋰,還有部分靶材同時對基片的第三區(qū)域和第四區(qū)域進行補鋰;補鋰的靶材的材質為金屬鋰、鋰硅合金、鋰硼合金、鋰硫合金、氧化鋰、氮化鋰或碳化鋰中的一種。
聲明:
“含硅負極材料的折返式補鋰方法及負極片、電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)