本發(fā)明涉及集成光學領(lǐng)域，特別涉及一種基于鈮酸鋰厚膜的高速電光調(diào)制器及其制備方法，所述調(diào)制器包括支撐襯底、鍵合層、光波導和調(diào)制電極，所述光波導位于鍵合層表面，且鍵合層上設置有一層鈮酸鋰厚膜；鈮酸鋰厚膜的厚度為8～20微米；本發(fā)明厚膜型鈮酸鋰的10微米左右的脊高使得調(diào)制效率可以提升60％以上且本發(fā)明的襯底因為減薄技術(shù)僅有8～20微米，可以避免該諧振效應進一步實現(xiàn)高速寬帶；而相比薄膜型波導的鈮酸鋰調(diào)制器，本發(fā)明又具有擴散型光波導低傳輸損耗和低耦合損耗的優(yōu)點。