一種磁控濺射制備納米硅薄膜鈦酸鋰負(fù)極的方法,其特征由以下步驟組成:采用PECVD超高真空多功能磁控濺射鍍膜設(shè)備;磁控濺射工作室內(nèi)安裝硅靶,與靶材相向的工作臺(tái)平鋪鈦酸鋰
負(fù)極材料,濺射氣體為純度99.999%的Ar氣,將濺射腔室的本底真空抽至6.6X10-5Pa,打開(kāi)通氣閥通入Ar氣,Ar氣流量為20sccm,調(diào)節(jié)濺射壓強(qiáng)為6.8pa~7.2pa,濺射2nm~7nm硅薄膜與鈦酸鋰負(fù)極材料表面附著,制成納米硅薄膜鈦酸鋰負(fù)極材料。通過(guò)鈦酸鋰負(fù)極材料表面與濺射硅薄膜附著制成納米硅薄膜鈦酸鋰負(fù)極材料能提高鈦酸鋰負(fù)極材料比容量。
聲明:
“磁控濺射制備納米硅薄膜鈦酸鋰負(fù)極的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)