一種利用鋰化法調(diào)節(jié)三維光子晶體帶隙的方法，本發(fā)明涉及一種調(diào)節(jié)三維光子晶體帶隙的方法，它為了解決現(xiàn)有調(diào)節(jié)三維光子晶體帶隙的方法調(diào)節(jié)范圍較窄、精度低的問題。調(diào)節(jié)三維光子晶體帶隙的方法：一、銅箔垂直放入PS微球乳液中進(jìn)行培養(yǎng)，得到生長有PS膠體模板的銅箔；二、將GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到電解液；三、使用三電極的電解池，采用恒電勢法進(jìn)行電沉積鍺，得到三維鍺薄膜；四、在三電極體系中進(jìn)行嵌鋰和脫鋰過程，從而調(diào)節(jié)三維光子晶體帶隙。本發(fā)明通過控制電壓的方向，使具有三維光子晶體結(jié)構(gòu)的鍺薄膜相應(yīng)地發(fā)生嵌鋰及脫鋰過程，由于Ge體積膨脹大，因此該方法的調(diào)節(jié)范圍非常大。