本發(fā)明公開了一種摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片，其中氧化鎂含量為5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本發(fā)明還公開了所述摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片的制備方法，首先是應用提拉法生長摻鎂濃度為5.2～6mol%、適量富鈮的鈮酸鋰晶體，晶體經(jīng)過退火極化處理，再切割成晶片，將切割晶片埋入摻鎂濃度為5.5～6.5mol%的同成分鈮酸鋰粉料中，再在1000℃～1150℃溫度下恒溫20～40小時進行擴散熱處理，即得到所述摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片。本發(fā)明制備的摻氧化鎂鈮酸鋰晶片成分均勻，折射率分布均勻，摻鎂濃度高，鈮鋰比接近同成分配比，內(nèi)部缺陷少，電疇反轉(zhuǎn)電壓較低，適合批量化的PPLN器件技術要求。