本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬電極保護(hù)層的激光刻蝕
鈣鈦礦探測(cè)器陣列及制備方法,涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,包括:襯底;金屬電極,位于襯底的一側(cè),且陣列排布;金屬走線,位于襯底的一側(cè),與金屬電極位于同層,且金屬電極通過(guò)金屬走線電連接;保護(hù)層,位于金屬電極和金屬走線背離襯底的一側(cè);在采用激光刻蝕過(guò)程中,保護(hù)層用于保護(hù)金屬電極和金屬走線;光吸收層,位于保護(hù)層背離襯底的一側(cè)。本申請(qǐng)可實(shí)現(xiàn)在激光刻蝕的過(guò)程中對(duì)金屬電極和金屬走線進(jìn)行保護(hù),拓寬了激光刻蝕陣列的工藝窗口,提高了光電探測(cè)器陣列的探測(cè)精度。
聲明:
“金屬電極保護(hù)層的激光刻蝕鈣鈦礦探測(cè)器陣列及制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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