本發(fā)明涉及一種氮化硅?鈮酸鋰異質(zhì)集成波導(dǎo)器件結(jié)構(gòu)及制備方法，二氧化硅包覆層中的氮化硅波導(dǎo)和位于其上表面的鈮酸鋰薄膜異質(zhì)集成脊形波導(dǎo)，并在鈮酸鋰薄膜上表面放置行波電極。氮化硅波導(dǎo)與其上表面的鈮酸鋰薄膜交叉耦合，在行波電極上外加高速電信號，對通過鈮酸鋰薄膜的光波的相位進行控制，實現(xiàn)加載電信號的振幅調(diào)制到光信號的相位調(diào)制的轉(zhuǎn)換。三維垂直集成設(shè)計，使芯片集成更緊湊，節(jié)省空間，同時降低光波導(dǎo)的插入損耗，可望實現(xiàn)100G的光調(diào)制速率，實現(xiàn)光波在鈮酸鋰薄膜中被高速調(diào)制并經(jīng)氮化硅波導(dǎo)低損耗傳播的特性，完成性能優(yōu)異的光調(diào)制。其制作工藝與半導(dǎo)體加工工藝兼容，調(diào)制效率高，能耗低，在光信號處理等領(lǐng)域中具有重要的應(yīng)用前景。