本實(shí)用新型涉及晶體生長領(lǐng)域，具體涉及一種近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體生長用的坩堝。本實(shí)用新型采用電阻加熱式晶體生長爐，坩堝為雙層結(jié)構(gòu)，外層為鉑金坩堝，內(nèi)層為籃狀鉑金網(wǎng)。鉑金網(wǎng)與負(fù)極相連，鉑金網(wǎng)內(nèi)設(shè)置有正極，在晶體生長的過程中通過控制正負(fù)極間的電流來控制負(fù)極上Nb離子的析出量，以控制鉑金網(wǎng)內(nèi)熔體中的Li/Nb比。本實(shí)用新型能控制生長區(qū)域熔體中的Li/Nb比，從而生長出高質(zhì)量低缺陷的近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體。