本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種鐵納米陣列材料、電極、超級(jí)電容器及其制備方法,所述鐵納米陣列材料,包括碳布和鐵顆粒,所述鐵顆粒均勻地分布在所述碳布,所述鐵顆粒的大小為1?10nm。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的鐵納米陣列材料基于界面電荷存儲(chǔ)的自旋電容效應(yīng)進(jìn)行能量存儲(chǔ),應(yīng)用于超級(jí)電容器具有較高的功率密度、能量密度以及循環(huán)壽命。
聲明:
“鐵納米陣列材料、電極、超級(jí)電容器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)