本發(fā)明公開了一種含三種摻雜劑的氧化鋅薄膜 及其制造方法，在含鋰襯底上依次包括ZnO緩沖層、ZnO外 延層和P型ZnO三元共摻層，其中，三元共摻層所包含的三 種摻雜劑為：鋰、氮、鋁或鎵。本發(fā)明的有益效果為：在含鋰 襯底上采用高溫擴散的辦法讓鋰通過異質(zhì)界面進入到ZnO薄 膜中制備p型ZnO薄膜，該膜含有鋰、鋁或鎵以及氮三種摻雜 劑，可使膜的空穴濃度至少為5× 1017cm－ 3，電阻率低于3cm，霍耳遷移率在0.1～ 10cm2/Vs之間，這些性能允許p 型薄膜用于光生伏特和電致發(fā)光型器件的p－n同質(zhì)結(jié)。