本發(fā)明提供了一種單晶薄膜鍵合體和一種制造單晶薄膜鍵合體的方法，所述單晶薄膜鍵合體包括硅基底、鈮酸鋰單晶薄膜或鉭酸鋰單晶薄膜以及位于硅基底與鈮酸鋰單晶薄膜或鉭酸鋰單晶薄膜之間的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通過(guò)沉積形成在鈮酸鋰單晶薄膜或鉭酸鋰單晶薄膜上，并通過(guò)直接鍵合法與硅基底進(jìn)行鍵合，硅基薄膜為硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本發(fā)明的三層結(jié)構(gòu)的單晶薄膜鍵合體能夠有效地降低甚至消除在鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜和硅基板之間的界面對(duì)光波和聲波的反射作用，并且降低或消除了界面間的反射作用對(duì)于光或聲波信號(hào)所造成的干擾。