本發(fā)明公開了一種小型化的高消光比調(diào)制器件及其使用方法，所述高消光比調(diào)制器件包括鈮酸鋰薄膜調(diào)制器和起偏器，所述鈮酸鋰薄膜調(diào)制器包括硅襯底、在所述硅襯底上設(shè)置有鈮酸鋰薄膜脊波導(dǎo)和調(diào)制電極，所述起偏器包括鈮酸鋰襯底，在所述鈮酸鋰襯底上設(shè)置有光波導(dǎo)。在本發(fā)明中，通過制作高折射率差的鈮酸鋰薄膜脊波導(dǎo)，提高了波導(dǎo)對光波的限制能力，可以極大的縮小波導(dǎo)尺寸，進而減小了電極間距和電極長度。脊波導(dǎo)的調(diào)制電極分布于波導(dǎo)兩側(cè)，調(diào)制效率高于質(zhì)子交換掩埋型波導(dǎo)，提高了調(diào)制效率。