本發(fā)明公開了一種襯底上單晶薄膜的通孔刻蝕方法，包括以下步驟：在襯底上單晶薄膜表面形成通孔窗口圖形掩膜層；通過(guò)窗口刻蝕單晶薄膜；去除圖形掩膜層，得到刻蝕了通孔圖形的單晶薄膜；該方法與主流的簡(jiǎn)單粗放地采用傳統(tǒng)刻蝕鈮酸鋰條形不同，而是通過(guò)具有高刻蝕選擇比的掩膜層來(lái)高精密地刻蝕穿孔鈮酸鋰薄膜，且可與下層襯底金屬互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)襯底與鈮酸鋰集成和控制；為鈮酸鋰基器件與下層襯底進(jìn)一步電氣連接提供重要技術(shù)性基礎(chǔ)。