本發(fā)明公開了一種(101)晶面擇優(yōu)生長的SnS2納米片
負(fù)極材料的制備方法。本研究以無機(jī)錫鹽為錫源,以有機(jī)硫化物為硫源,以聚乙二醇為添加劑,通過簡單的溶劑熱法一步制備出以(101)晶面擇優(yōu)生長的SnS2納米片。這些以(101)晶面為裸露表面的納米片,在充放電過程中可以提供充足的
電化學(xué)活性位點(diǎn),縮短鋰離子的擴(kuò)散路徑,加快電化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué),從而使得電極的倍率性能優(yōu)異。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于(101)晶面擇優(yōu)生長的SnS2納米片的制備工藝簡單易行,并可以應(yīng)用到其他層狀物質(zhì)的擇優(yōu)生長。此方法制備的(101)晶面擇優(yōu)生長的SnS2納米片具有優(yōu)異的倍率性能,是一種潛在的高性能
鋰離子電池負(fù)極材料,有望廣泛應(yīng)用于各種便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)汽車以及航空航天等領(lǐng)域。
聲明:
“(101)晶面擇優(yōu)生長的SnS2納米片負(fù)極材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)