本發(fā)明涉及一種固相剝離制備高分散
稀土離子摻雜氯氧化鉍二維納米片的方法,屬于
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在固相合成法制備B
3O
4Cl二維半導(dǎo)體材料中,加入稀土離子和Li
+離子作為共同固相剝離劑;其中,稀土離子為稀土Er
3+離子和/或Lu
3+離子,稀土離子與B
3O
4Cl中Bi
3+的摩爾比為1:(10~1000),Li
+離子與B
3O
4Cl中Bi
3+的摩爾比為1:(4~100);稀土Er
3+離子、稀土Lu
3+離子的加入形式為稀土氧化物、稀土硝酸鹽、稀土氯化物、稀土氟化物或稀土溴化物;Li
+離子的加入形式為
碳酸鋰,硝酸鋰,氯化鋰或氟化鋰。本發(fā)明的固相剝離制備Bi
3O
4Cl納米片的方法簡單易行、原材料成本低;高分散稀土離子摻雜氯氧化鉍二維納米片可作為光催化材料、傳感器材料等。
聲明:
“固相剝離制備高分散稀土離子摻雜氯氧化鉍二維納米片的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)