2基憶阻器及其制備方法,加工技術(shù)"> 2基憶阻器及其制備方法,本發(fā)明設(shè)計(jì)一種基于模擬型和數(shù)字型共存的MoS2基憶阻器及其制備方法,其結(jié)構(gòu)由下至上依次包括襯底層、底電極層、二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層、頂電極層;其特征在于:所述二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層是作為阻變層,層狀的二硫化鉬均勻分散在聚合物中,為鋰離子和電子提供存儲(chǔ)位點(diǎn),頂電極厚度為50?100nm,底端電極厚度為30?100nm,阻變層的厚度為100?300nm。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):在單一器件中存在模擬和數(shù)字憶阻行為共存的現(xiàn)象,并且存在多態(tài)存儲(chǔ)、閾值電壓小的">

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基于模擬型和數(shù)字型共存的MoS2基憶阻器及其制備方法

676   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:19:15
本發(fā)明設(shè)計(jì)一種基于模擬型和數(shù)字型共存的MoS2基憶阻器及其制備方法,其結(jié)構(gòu)由下至上依次包括襯底層、底電極層、二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層、頂電極層;其特征在于:所述二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層是作為阻變層,層狀的二硫化鉬均勻分散在聚合物中,為鋰離子和電子提供存儲(chǔ)位點(diǎn),頂電極厚度為50?100nm,底端電極厚度為30?100nm,阻變層的厚度為100?300nm。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):在單一器件中存在模擬和數(shù)字憶阻行為共存的現(xiàn)象,并且存在多態(tài)存儲(chǔ)、閾值電壓小的憶阻器。該結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出的模擬和數(shù)字型共存的憶阻行為,為實(shí)現(xiàn)可調(diào)控的神經(jīng)形態(tài)學(xué)習(xí)提供了一個(gè)可行的方案,促進(jìn)類腦型形態(tài)計(jì)算的發(fā)展。
聲明:
“基于模擬型和數(shù)字型共存的MoS2基憶阻器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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