2基憶阻器及其制備方法,加工技術(shù)"> 2基憶阻器及其制備方法,本發(fā)明設(shè)計(jì)一種基于模擬型和數(shù)字型共存的MoS2基憶阻器及其制備方法,其結(jié)構(gòu)由下至上依次包括襯底層、底電極層、二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層、頂電極層;其特征在于:所述二硫化鉬?聚合物?鋰鹽凝膠層是作為阻變層,層狀的二硫化鉬均勻分散在聚合物中,為鋰離子和電子提供存儲(chǔ)位點(diǎn),頂電極厚度為50?100nm,底端電極厚度為30?100nm,阻變層的厚度為100?300nm。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):在單一器件中存在模擬和數(shù)字憶阻行為共存的現(xiàn)象,并且存在多態(tài)存儲(chǔ)、閾值電壓小的">
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