本發(fā)明的課題在于提供離子導(dǎo)入能力優(yōu)秀的活性物質(zhì)粒子。本發(fā)明的硅系活性物質(zhì)粒體具有層構(gòu)造。需要說明的是,此處所說的“硅系活性物質(zhì)粒體”例如為鋰離子二次電池的負(fù)極形成用的活性物質(zhì)粒體。作為鋰離子二次電池的負(fù)極形成用的活性物質(zhì)粒體,例如為:硅(Si)、或氧化硅(SiOx)、含有鋰(Li)等堿金屬元素或鎂(Mg)等堿土金屬元素的含金屬元素氧化硅、硅合金等,所謂的Si系活性物質(zhì)。另外,在該活性物質(zhì)粒體中,層的厚度優(yōu)選在1μm以下。另外,在此,層的厚度在此優(yōu)選為0.01μm以上。
聲明:
“硅系活性物質(zhì)粒體以及硅系活性物質(zhì)前體粒體和其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)