本文描述了用于在地下地層中的至少一部分處理區(qū)周圍形成屏蔽層的方法??蓪⒘蚣尤胍粋€(gè)或多個(gè)位于地層中的處理區(qū)邊界內(nèi)的井孔中,所述處理區(qū)的滲透性至少為0.1達(dá)西。允許至少一些硫流向比硫的熔點(diǎn)低的地層部分使得硫在地層中固化以形成屏蔽層。
聲明:
“用于原位法處理地層的硫屏蔽層” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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