本發(fā)明公開一種可控制備正交相硫化亞錫(SnS)二維單晶納米片的方法。該方法包括將襯底置于水平管式爐的加熱中心下游，距離加熱中心8-20cm，將SnS粉末放入耐高溫容器中，將容器置于水平管式爐的加熱中心；對管式爐抽真空，待爐內壓強降至0.1Pa時，充入不活潑氣體使管式爐腔內壓強回到20-300Torr，并保持氣體流速在20-200sccm間；將水平管式爐加熱中心升溫至600-800℃，反應時間為5-30分鐘，待管式爐腔內溫度自然降溫到室溫后，取出襯底，襯底表面即生長有硫化亞錫二維單晶納米片。該法操作簡單、成本較低、可控性較強，獲得的SnS具有尺寸大、均勻性好、結晶度高等優(yōu)點，在場效應晶體管、光電探測器、光催化制氫、鋰離子電池等領域中具有重要的研究價值和廣泛的應用前景。