提供一種在300℃的工藝后也能保持高電阻的復(fù)合基板、和復(fù)合基板的制造方法。本發(fā)明的復(fù)合基板的特征在于,其通過(guò)在壓電材料基板上貼合晶格間氧濃度為2~10ppma的硅(Si)晶片作為支撐基板、在貼合后對(duì)壓電材料基板進(jìn)行減薄而制作。壓電材料基板特別優(yōu)選設(shè)為鉭酸
鋰晶片(LT)基板或鈮酸鋰(LN)基板。
聲明:
“復(fù)合基板和復(fù)合基板的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)