本發(fā)明涉及一種純相In2S3半導體薄膜的硫化輔助電沉積制備方法，電解液中含有摩爾比為100：（2.5?10）：（1?10）：（40?100）的氯化鋰、氯化銦、亞硫酸鈉和硫代硫酸鈉，電解液的pH值介于2.5?3.75之間，電解液經(jīng)攪拌后用電沉積法在氧化銦錫（ITO）玻璃基底上制備出了附著力良好的預沉積薄膜，然后將預沉積薄膜置于硫粉和惰性氣氛保護條件下于200?600°C下恒溫，得到純相高結晶性的In2S3半導體薄膜。本發(fā)明提供的方法在ITO玻璃基底上制備出純相In2S3半導體薄膜，適合作為薄膜太陽能電池的緩沖層材料。