本發(fā)明公開了一種金屬電極的制備方法,包括:在鈮酸鋰襯底上沉積金屬種子層;在所述金屬種子層上沉積硅層,所述硅層的厚度大于10μm;在所述硅層上制作掩膜圖形,所述掩膜圖形所暴露的位置為金屬電極的位置;在所述掩膜圖形所暴露的位置處進(jìn)行刻蝕得到硅凹槽,所述硅凹槽處暴露出金屬種子層;使用電極金屬填充所述硅凹槽,得到金屬電極。本申請(qǐng)中的方案通過硅刻蝕的方式得到金屬填充的硅凹槽,在硅凹槽內(nèi)制備金屬電極,由于硅層厚度大于10μm,因此通過本申請(qǐng)方法制備得到的金屬電極的厚度能夠大于10μm,同時(shí)金屬電極的高寬比可以大于3。采用本申請(qǐng)制備得到的金屬電極可極大提高鈮酸鋰電光調(diào)制器的帶寬。
聲明:
“金屬電極的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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