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三氧化二鐵/氧化鎳核殼納米棒陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用

1090   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 00:00:41
本發(fā)明公開了一種三氧化二鐵/氧化鎳核殼納米棒陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用,包括:將可溶性鐵鹽、硫酸鈉和水混合,得到前驅(qū)體溶液;將潔凈的基底放入反應(yīng)釜中,并將前驅(qū)體溶液加入到反應(yīng)釜中,于110~160℃反應(yīng)4~24h,再于400~500℃熱處理1~5h,得到生長有三氧化二鐵納米棒陣列的基底;將硫酸鎳、過二硫酸鉀、氨以及水混合,將生長有三氧化二鐵納米棒陣列的基底放入氧化鎳反應(yīng)液中反應(yīng),反應(yīng)后于300~400℃熱處理1~3h即得。本發(fā)明方法制造成本較低,易于實現(xiàn)工業(yè)化,薄膜具有在基底上生長的核殼納米棒陣列形貌,制備的鋰離子電池負極具有高的放電容量、穩(wěn)定的循環(huán)性能和優(yōu)異的倍率性能等優(yōu)點。
聲明:
“三氧化二鐵/氧化鎳核殼納米棒陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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