一種非極性面InN材料的生長方法,利用金屬有機物化學汽相外延MOCVD生長 系統(tǒng),在鋁酸鋰LiAlO2(100)襯底上合成生長m面InN材料以及高In組分m面InGaN 材料,所述m面是非極性面的一種,高In組分指InxGa1-xN材料中In組分x大于0.3。 本發(fā)明利用MOCVD生長系統(tǒng),采用LiAlO2(100)材料作為襯底、對LiAlO2(100)襯底 進行處理以及利用低溫緩沖層,合成生長m面InN材料以及高In組分m面InGaN材料, 通過選擇合適的襯底,在MOCVD系統(tǒng)下,選擇適當?shù)纳L的技術條件,并利用緩沖 層的設計,生產(chǎn)得到非極性面InN材料。
聲明:
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