一種利用離散鉻晶核制備自剝離超薄銅箔的方法,涉及用于制造印刷電路板和鋰離子電池的超薄銅箔領(lǐng)域。通過在銅表面電沉積一層離散的Cr晶核用于銅箔的自剝離,離散的Cr晶核有效地降低銅箔與銅表面的結(jié)合力,實(shí)現(xiàn)銅箔的自剝離;在此剝離層上沉積的銅箔,厚度為1~4μm。利用三價Cr鹽沉積金屬離散晶核,避免六價鉻的毒性,更環(huán)保。利用離散核實(shí)施自剝離,減少銅箔在存放時金屬和Cu的擴(kuò)散。在生產(chǎn)中能夠方便地利用電源調(diào)節(jié)沉積參數(shù),Cr晶核沉積只需幾秒時間,沉積的剝離層分布均勻,方法簡單,易于實(shí)施。
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