本發(fā)明公開了一種鍍膜方法及應用，按以下步驟進行：1)襯底以及其晶向的選?。?)使用PLD工藝在襯底上低溫外延一層GaN緩沖層；3)使用MBE工藝外延一層GaN薄膜。本發(fā)明集合PLD和MBE的優(yōu)點，能夠有效抑制Li離子的高溫擴散(襯底的高溫相變)和界面反應。利用PLD進行三維生長，獲得大量的納米島，然后在同一生長室內利用MBE進行二維生長，抑制穿透位錯的傳播，提高薄膜的晶體質量。應用鍍膜方法在鎵酸鋰襯底上外延非極性GaN薄膜。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有生長工藝簡單，制備成本低廉的優(yōu)點，同時本發(fā)明制備的GaN薄膜具有缺陷密度低、結晶質量好等特點，可廣泛應用于LED、LD、太陽能電池等領域。