3+摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導(dǎo)體K2O·4SiO2及其制備方法,加工技術(shù)"> 3+摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導(dǎo)體K2O·4SiO2及其制備方法,一種部分氧空位B3+摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導(dǎo)體K2O·4SiO2及其制備方法,其特征為:化學(xué)計量式為K2O·4Si1?xBxO2?0.5x,其中:x=0.01?0.10;采用無規(guī)K2O·4SiO2結(jié)構(gòu),使得鉀離子在體系中各向同性傳導(dǎo);通過B3+摻雜獲得部分氧空位,為鉀離子傳導(dǎo)提供新的傳導(dǎo)路徑,進一步降低了鉀離子傳導(dǎo)活化能,提升了鉀離子活動能力及電導(dǎo)率,使得該鉀快離子導(dǎo)體的常溫鋰離子電導(dǎo)率超過4·10?4S/cm,使其能作為性能優(yōu)異的鉀快離子導(dǎo)體使用;同時通過高">

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部分氧空位B3+摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導(dǎo)體K2O·4SiO2及其制備方法

888   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 00:22:05
一種部分氧空位B3+摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導(dǎo)體K2O·4SiO2及其制備方法,其特征為:化學(xué)計量式為K2O·4Si1?xBxO2?0.5x,其中:x=0.01?0.10;采用無規(guī)K2O·4SiO2結(jié)構(gòu),使得鉀離子在體系中各向同性傳導(dǎo);通過B3+摻雜獲得部分氧空位,為鉀離子傳導(dǎo)提供新的傳導(dǎo)路徑,進一步降低了鉀離子傳導(dǎo)活化能,提升了鉀離子活動能力及電導(dǎo)率,使得該鉀快離子導(dǎo)體的常溫鋰離子電導(dǎo)率超過4·10?4S/cm,使其能作為性能優(yōu)異的鉀快離子導(dǎo)體使用;同時通過高壓條件的反應(yīng),抑制反應(yīng)物的不均勻揮發(fā)從而導(dǎo)致產(chǎn)物的組分偏離。
聲明:
“部分氧空位B3+摻雜玻璃態(tài)鉀快離子導(dǎo)體K2O·4SiO2及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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