本發(fā)明公開了一種超薄晶圓平坦化加工夾持的方法,包括如下步驟:首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表面,真空吸盤的底部且對(duì)應(yīng)超薄晶片的位置開設(shè)有多個(gè)抽氣孔,在真空吸盤的頂部設(shè)置真空系統(tǒng),真空系統(tǒng)通過對(duì)真空吸盤表面的多個(gè)抽氣孔進(jìn)行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部。本發(fā)明較傳統(tǒng)的吸附墊夾持方式,可以大幅增加加工壓力,提升拋光效率,并且可以克服傳統(tǒng)的雙拋、上蠟以及吸附墊夾持加工方式無法達(dá)到<200um的工藝水準(zhǔn),本發(fā)明可以將晶片薄化到<50um,且保證表面平坦度可達(dá)5mm
2<0.5um,PLTV>95%的水準(zhǔn),解決了傳統(tǒng)加工工藝無法達(dá)到鉭酸鋰(LiTaO
3;LT)晶片厚度<200um,且平坦度在5mm
2<0.5um,PLTV>95%穩(wěn)定產(chǎn)品品質(zhì)要求的問題。
聲明:
“超薄晶圓平坦化加工夾持的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)