3晶體的全自動控制晶體生長方法,加工技術(shù)"> 3晶體的全自動控制晶體生長方法,本發(fā)明公開一種大尺寸LiTaO3晶體的全自動控制晶體生長方法,包括以下步驟:S1:制備原料;S2:搭建溫場;S3:充保護氣體;S4:控制晶體生長及降溫過程:按照6~30rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)鉭酸鋰籽晶,當晶體直徑d生長至D的40%時,在旋轉(zhuǎn)晶體的同時,以0.2~4mm/h的拉速向上提拉,當晶體直徑生長至90%時,利用PID算法自動調(diào)控溫場系統(tǒng)的加熱功率,在60~120h內(nèi)降至室溫;S5:多線定向切割。本發(fā)明采用兩步法完成等徑生長,在放肩階段前段,僅進行晶體橫向生">

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大尺寸LiTaO3晶體的全自動控制晶體生長方法

936   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 00:22:07
本發(fā)明公開一種大尺寸LiTaO3晶體的全自動控制晶體生長方法,包括以下步驟:S1:制備原料;S2:搭建溫場;S3:充保護氣體;S4:控制晶體生長及降溫過程:按照6~30rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)鉭酸鋰籽晶,當晶體直徑d生長至D的40%時,在旋轉(zhuǎn)晶體的同時,以0.2~4mm/h的拉速向上提拉,當晶體直徑生長至90%時,利用PID算法自動調(diào)控溫場系統(tǒng)的加熱功率,在60~120h內(nèi)降至室溫;S5:多線定向切割。本發(fā)明采用兩步法完成等徑生長,在放肩階段前段,僅進行晶體橫向生長,并通過PID算法主動完成降溫過程,使晶體成品率≥90%,確保批量生長晶體的均勻性,具有晶體生長速度可控、生長尺寸大、重復(fù)性好的優(yōu)點,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“大尺寸LiTaO3晶體的全自動控制晶體生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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