3晶體的全自動控制晶體生長方法,加工技術(shù)"> 3晶體的全自動控制晶體生長方法,本發(fā)明公開一種大尺寸LiTaO3晶體的全自動控制晶體生長方法,包括以下步驟:S1:制備原料;S2:搭建溫場;S3:充保護氣體;S4:控制晶體生長及降溫過程:按照6~30rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)鉭酸鋰籽晶,當晶體直徑d生長至D的40%時,在旋轉(zhuǎn)晶體的同時,以0.2~4mm/h的拉速向上提拉,當晶體直徑生長至90%時,利用PID算法自動調(diào)控溫場系統(tǒng)的加熱功率,在60~120h內(nèi)降至室溫;S5:多線定向切割。本發(fā)明采用兩步法完成等徑生長,在放肩階段前段,僅進行晶體橫向生">
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