本發(fā)明公開了一種氮化硼納米片連續(xù)薄膜、其制備方法與應(yīng)用。所述制備方法包括:在基底上覆設(shè)前驅(qū)物薄膜,之后在含氮反應(yīng)氣氛高溫反應(yīng),制得所述氮化硼納米片連續(xù)薄膜;所述前驅(qū)物薄膜包括至少三種元素,其中的兩種元素分別為硼、氧元素,其余元素選自鋰、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鎵、銦、鋅、鈦和硅中的任意一種或多種的組合。本發(fā)明的制備方法可以直接在Si等基底上合成氮化硼連續(xù)納米片(即氮化硼納米片連續(xù)薄膜),無需金屬催化劑的參與,也無需任何轉(zhuǎn)移工序,工藝簡單可控,成本低廉,并且所獲的氮化硼納米片連續(xù)薄膜可直接作為
石墨烯等二維
納米材料的生長基底,進(jìn)而利于構(gòu)建石墨烯器件的襯底和/或柵極等,具有巨大的應(yīng)用前景,能實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
聲明:
“氮化硼納米片連續(xù)薄膜、其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)