本發(fā)明屬于先進(jìn)
納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種負(fù)載鈀單原子或鈀納米顆粒的限域碳材料及其制備方法。本發(fā)明方法包括利用氧化
石墨烯(GO)的Zeta電位為負(fù)的特性,在其表面吸附端口電位為正的超分子化合物—瓜環(huán)。瓜環(huán)是一種特殊的超分子腔體(CB),其緊密包覆在GO表面后經(jīng)高溫煅燒,CB形成具有特殊孔徑的N摻雜不定型碳,并且牢牢吸附在石墨烯片層上;同時(shí)GO經(jīng)高溫煅燒后會含氧基團(tuán)會斷裂,形成導(dǎo)電性良好的rGO。二者之間會形成限域界面,并在低溫條件下成功負(fù)載鈀納米顆粒及鈀單原子。本發(fā)明制備的材料應(yīng)用在
電化學(xué)催化、有機(jī)催化、生物傳感器、超級電容器、鋰離子電池等領(lǐng)域,均表現(xiàn)出了良好的性能。
聲明:
“負(fù)載鈀單原子或鈀納米顆粒的限域碳材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)