本發(fā)明涉及一種高倍率硅碳負(fù)極微球的制備方法及高倍率硅碳負(fù)極微球，微球由納米硅顆粒、內(nèi)部碳導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)、外部致密碳層構(gòu)成，納米硅顆粒負(fù)載于內(nèi)部碳導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上，納米硅顆粒和導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的表面都被一層致密的碳層所包覆，微球上還存在模板刻蝕后處存在的孔洞。制備方法包括以納米硅、碳材料、模板劑、和粘結(jié)劑為原料混合，噴霧造粒，熱處理，冷卻，除去模板，CVD包碳等步驟。該結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部碳導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)提供了優(yōu)良的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)也可作為硅體積變化的緩沖基體，表面包覆的致密碳層可以進(jìn)一步穩(wěn)定材料結(jié)構(gòu)和提高導(dǎo)電性，模板刻蝕留下的孔洞有利于電解液的浸潤(rùn)和鋰離子在微球內(nèi)部的傳導(dǎo)，從而改善了材料的充放電倍率性能。