本發(fā)明公開了一種缺陷定位方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，其屬于鋰電池制備技術(shù)領(lǐng)域，缺陷定位方法具體為先根據(jù)缺陷識(shí)別記錄確定缺陷位置與第一預(yù)設(shè)位置在極片長(zhǎng)度方向上的第一缺陷距離；測(cè)量極片的厚度及卷筒的外半徑；將所述第一缺陷距離、所述極片的厚度及所述卷筒的外半徑代入指定公式中，通過計(jì)算和轉(zhuǎn)換確定缺陷位置。本發(fā)明提供的缺陷定位方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)能夠解決CCD設(shè)備漏打標(biāo)的問題，使得能夠較精準(zhǔn)計(jì)算缺陷位置，進(jìn)行手動(dòng)補(bǔ)標(biāo)，其操作方法簡(jiǎn)單、實(shí)用性強(qiáng)。