2O3納米球的黃藥氣體氣敏元件及其制備方法,選礦技術"> 2O3納米球的黃藥氣體氣敏元件及其制備方法,本發(fā)明公開了一種基于Au摻雜In2O3納米球的黃藥氣體氣敏元件及其制備方法,屬于金屬氧化物半導體材料的氣體傳感器領域。本發(fā)明以硝酸銦為銦源,氯金酸為金源,采用水熱法制備具有六方相晶體結構、直徑為75~125nm的Au摻雜In2O3納米球。將制備的Au摻雜In2O3納米球分散在乙醇溶液中,制備成氣敏料漿,然后將其均勻地涂覆在電極元件表面,制備成氣敏元件。本發(fā)明所述的Au摻雜In2O3納米球合成方法簡單、成本低、無污染、結構穩(wěn)定。本發(fā)明所述的氣敏元件靈敏度高、">