本發(fā)明的公開了一種高催化活性TiN/Pt復(fù)合膜電極及其制備方法,屬于能源材料制備技術(shù)領(lǐng)域,其中包括:1)通過磁控濺射技術(shù)獲得TiN膜,其中Ti含量的范圍在50?70at%,N元素含量為30?50at%。2)通過磁控濺射技術(shù)獲得TiN膜后,再沉積負(fù)載量為0.3?3ug/cm2,顆粒大小為2?100nm的Pt膜。針對濕法化學(xué)工藝中存在的工藝復(fù)雜、成本高、環(huán)保性差問題,以及粉體催化劑不易牢固裝配,氮化鈦粉體和Pt協(xié)同催化有待提高等問題,本發(fā)明采用磁控濺射技術(shù)制備TiN/Pt復(fù)合膜,原材料采用純金屬,制備方法簡單易行,易規(guī)?;?,無廢水及廢棄排放,環(huán)保性好;膜材料直接附于基體,不需額外粘連。該發(fā)明有很好的工業(yè)化推廣前景,可在燃料電池等鄰域有廣泛應(yīng)用。
聲明:
“高催化活性TiN/Pt復(fù)合膜電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)