本發(fā)明公開了一種硫化亞銅微米環(huán)狀結(jié)構(gòu)
半導體材料,其中包括片狀物構(gòu)成的層級結(jié)構(gòu)和顆粒構(gòu)成的多孔環(huán)狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開了所述硫化亞銅微米環(huán)狀結(jié)構(gòu)半導體材料的制備方法,將無水乙醇和去離子水混合制備混合溶液,分別制備硫脲溶液和CuCl溶液,然后均勻混合;加入反應釜中,密封,在150℃下反應5小時;反應完成后,將反應物置于硅片上,在55℃下烘烤,得到所述硫化亞銅微米環(huán)狀結(jié)構(gòu)半導體材料。本發(fā)明具有低成本,生長溫度較低,重復性較高的優(yōu)點,在光催化工業(yè)污染廢水方面和場發(fā)射發(fā)光方面有極大的潛力。
聲明:
“硫化亞銅納米環(huán)狀結(jié)構(gòu)半導體材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)